Щипцы-гофре BaByliss Pro EP Technology

Задать вопрос
101353909
7 683 Р

Гарантия: 12 мес.

Москва: > 10 шт.

Доставка: 3-7 дней

+
Отложить

Щипцы-гофре BaByliss PRO BAB2658EPCE EP Technology

Укладка в стиле «гофре» никогда не выходит из моды. Меняются объемы волн, дополняются образы, создаются новые варианты укладки, неизменным остается только обязательное наличие инструмента для создания гофре в руках стилистов.

Всемирно известная компания, бренд №1 в Европе, представляет свою новейшую разработку — профессиональные щипцы-гофре BaByliss PRO BAB2658EPCE EP Technology.

Это высокотехнологичный прибор для максимально безопасного воздействия на волосы любого типа и состояния.

Размер пластин составляет 38*90 мм, наиболее оптимальный для удобного использования и захвата крупных прядей.

Потребляемая мощность — 53 Вт. Благодаря технологии Advanced Heat Management System данной мощности достаточно для быстрого и равномерного нагрева поверхности. Максимальный режим достигается за считанные секунды, любая выбранная температура стабильно контролируется в течение всего процесса укладки.

Прибор работает от сети любого напряжения от 110 до 230 Вольт в любой стране мира.

Микрометаллическое цинковое напыление покрытия нанесено методом гальванизации на среднего размера гофре. Прогреваются щипцы одновременно по всей поверхности. Идеально гладкая и прочная поверхность пластин особенно устойчива к любым механическим и химическим воздействиям.

Прибор имеет 5 различных температурных режимов 150°C, 170°C, 190°C, 205°C и 230°C. С помощью терморегулятора можно выбрать наиболее оптимальную температуру — для тонких и ослабленных волос минимальный нагрев, для жестких и непослушных волос, а также для выпрямления кератинов и ботоксом подойдут максимальные режимы.

Корпус оборудован специальным фиксатором для блокировки пластин во время перевозки или хранения.

Комплектация также предусматривает стильный и качественный термостойкий коврик.

Модель оснащена длинным (2,7 м) профессиональным шнуром, который вращается на 360 градусов вокруг основания.